面向高能效应用：铠侠、南亚联合研发新型极低漏电流 OCTRAM 内存
10 月 24 日消息，据本月 21 日铠侠、南亚科技新闻稿，两家存储企业关于新型极低漏电流内存的联合研究论文将于今年 12 月 7~11 日在美国加州旧金山举行的 2024 IEEE IEDM 国际电子器件大会上发表。
根据活动介绍，铠侠、南亚科技将在当地时间 12 月 9 日介绍全球首款 4F2 GAA 氧化物半导体（Oxide-semiconductor）通道晶体管 DRAM——OCTRAM。
OCTRAM 应属于一种 GAA 结构的 4F2 VCT DRAM，其在高深宽比电容器顶部集成了 IGZO（注：氧化铟镓锌，InGaZnO）垂直通道晶体管，实现了极低漏电流，降低了内存能耗。
铠侠、南亚科技合作制造了字线和位线间距分别为 54nm 与 63nm 的 275Mbit 容量 OCTRAM 阵列，该原型在设计的电压范围内成功运行。
铠侠、南亚科技表示，这项创新技术透过制造流程改善来强化芯片整合架构发展，有望用于 AI、后 5G 移动通信系统、物联网等领域，满足设备对节能与性能两方面日益增加的需求。
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