美国拟斥资 8.25 亿美元支持纽约州 EUV 光刻旗舰研发站点建设

11 月 1 日消息，据美国商务部当地时间昨日新闻稿，该部门与美国《CHIPS》法案美国国家半导体技术中心 NSTC 项目运营商 Natcast 宣布在纽约州立大学奥尔巴尼纳米技术中心建设首个《CHIPS》法案旗舰研发站点。

该站点名为“EUV 加速器”，重点推进最先进的 EUV 光刻技术以及依赖于该技术的研发工作，预计将获得 8.25 亿美元（备注：当前约 58.75 亿元人民币）的美国联邦投资支持。

“EUV 加速器”站点将于 2025 年开始运营，预计同年引入 0.33NA EUV 光刻机、2026 年引入 High NA EUV 光刻机。这一站点将召集并促进与产业界、学术界和政府合作伙伴的合作，支持提供、培养和发展有才华的员工队伍的计划，推动半导体推进技术创新。

除这一 EUV 光刻站点外，美国还计划建设原型制造和先进封装制造领域的研发设施。